Потери тока короткого замыкания в фотоэлектрических структурах с субмикронным n p переходом, обусловленные накоплением неравновесного поверхностного заряда

Заочные электронные конференции

Главная / Научные конференции / Современные проблемы науки и образования /

Богатов Н.М., Матвеякин М.П., Родоманов Р.Р.

Прочитать публикацию в формате PDF
77 Кб

Для чтения PDF необходима программа Adobe Reader

Библиографическая ссылка

Богатов Н.М., Матвеякин М.П., Родоманов Р.Р. Потери тока короткого замыкания в фотоэлектрических структурах с субмикронным n p переходом, обусловленные накоплением неравновесного поверхностного заряда // Современные проблемы науки и образования .
URL: http://econf.rae.ru/article/226 (дата обращения: 04.04.2025).

Получить сертификат

Форма заказа сертификата